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GermanyMVB50P03HDLT4G
元器件型号详细信息
原厂型号
MVB50P03HDLT4G
摘要
MOSFET P-CH 30V 50A D2PAK-3
详情
表面贴装型 P 通道 30 V 50A（Tc） 125W（Tc） D²PAK
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
Automotive, AEC-Q101
包装
散装
产品状态
停产
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
50A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
25 毫欧 @ 25A，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
100 nC @ 5 V
Vgs（最大值）
±15V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
4900 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
125W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
D²PAK
封装/外壳
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
基本产品编号
MVB50
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/onsemi MVB50P03HDLT4G
相关文档
规格书
1(MTB50P03HDL, MVB50P03HDLT4G)
环保信息
1(onsemi RoHS)
PCN 产品变更/停产
1(1Q2018 Product EOL 31/Mar/2018)
PCN 组装/来源
1(Mold Compound 10/Nov/2021)
HTML 规格书
1(MTB50P03HDL, MVB50P03HDLT4G)
价格
-
替代型号
-