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GermanyMT29RZ1CVCZZHGTN-18 I.85H TR
元器件型号详细信息
原厂型号
MT29RZ1CVCZZHGTN-18 I.85H TR
摘要
IC FLASH RAM 1GBIT PAR 121VFBGA
详情
FLASH - NAND，DRAM - LPDDR2 存储器 IC 1Gb（NAND），512Mb（LPDDR2） 并联 533 MHz 121-VFBGA（8x7.5）
原厂/品牌
Micron Technology Inc.
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
1,000
供应商库存
技术参数
制造商
Micron Technology Inc.
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
存储器类型
非易失性，易失性
存储器格式
FLASH，RAM
技术
FLASH - NAND，DRAM - LPDDR2
存储容量
1Gb（NAND），512Mb（LPDDR2）
存储器组织
128M x 8（NAND），32M x 16（LPDDR2）
存储器接口
并联
时钟频率
533 MHz
写周期时间 - 字，页
-
电压 - 供电
1.8V
工作温度
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
121-WFBGA
供应商器件封装
121-VFBGA（8x7.5）
基本产品编号
MT29RZ1CV
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
3（168 小时）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
3A991B1A
HTSUS
8542.32.0071
其它名称
MT29RZ1CVCZZHGTN-18 I.85H TR-ND
557-1886-6
557-1886-2
MT29RZ1CVCZZHGTN-18I.85HTR-ND
MT29RZ1CVCZZHGTN-18I.85HTR
557-1886-1
所属分类/目录
/产品索引 /集成电路（IC）/存储器/存储器/Micron Technology Inc. MT29RZ1CVCZZHGTN-18 I.85H TR
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价格
-
替代型号
型号 : MT29AZ2B1BHGTN-18IT.111 TR
制造商 : Micron Technology Inc.
库存 : 0
单价. : ¥0.00000
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