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GermanyDMG3418L-13
元器件型号详细信息
原厂型号
DMG3418L-13
摘要
MOSFET N-CH 30V 4A SOT23
详情
表面贴装型 N 通道 30 V 4A（Ta） 1.4W（Ta） SOT-23-3
原厂/品牌
Diodes Incorporated
原厂到货时间
25 周
EDA/CAD 模型
标准包装
供应商库存
技术参数
制造商
Diodes Incorporated
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
4A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
60 毫欧 @ 4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
5.5 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
464.3 pF @ 15 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
1.4W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
SOT-23-3
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
基本产品编号
DMG3418
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Diodes Incorporated DMG3418L-13
相关文档
规格书
1(DMG3418L)
环保信息
1(Diodes Environmental Compliance Cert)
HTML 规格书
1(DMG3418L)
价格
数量: 100000
单价: $0.53851
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 10000
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 10000
数量: 50000
单价: $0.54692
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 10000
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数量: 30000
单价: $0.61003
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 10000
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 10000
数量: 10000
单价: $0.6521
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 10000
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 10000
替代型号
型号 : DMG3418L-7
制造商 : Diodes Incorporated
库存 : 124,393
单价. : ¥3.42000
替代类型. : 参数等效
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单价. : ¥3.42000
替代类型. : 参数等效