English
Spain
Rusia
Italy
GermanySQJB02ELP-T1_GE3
元器件型号详细信息
原厂型号
SQJB02ELP-T1_GE3
摘要
AUTOMOTIVE DUAL N-CHANNEL 40 V (
详情
MOSFET - 阵列 40V 30A（Tc） 27W 表面贴装型 PowerPAK® SO-8 双
原厂/品牌
Vishay Siliconix
原厂到货时间
99 周
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
Vishay Siliconix
系列
Automotive, AEC-Q101
包装
卷带（TR）
Product Status
在售
技术
MOSFET（金属氧化物）
配置
2 N-通道（双）
FET 功能
-
漏源电压（Vdss）
40V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
30A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
7.5 毫欧 @ 6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
32nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1700pF @ 20V
功率 - 最大值
27W
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
PowerPAK® SO-8 双
供应商器件封装
PowerPAK® SO-8 双
基本产品编号
SQJB02
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
742-SQJB02ELP-T1_GE3TR
SQJB02ELP-T1 GE3
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/FET、MOSFET 阵列/Vishay Siliconix SQJB02ELP-T1_GE3
相关文档
规格书
1(Automotive Dual N-Channel 40 V (D-S) 175 °C MOSFET)
特色产品
1(SQJ264EP 60 V MOSFET)
价格
数量: 3000
单价: $3.69041
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000
数量: 1000
单价: $3.95396
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $5.0084
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $6.0631
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $7.775
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $8.67
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
替代型号
-