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GermanyIXTH13N110
元器件型号详细信息
原厂型号
IXTH13N110
摘要
MOSFET N-CH 1100V 13A TO247
详情
通孔 N 通道 1100 V 13A（Tc） 360W（Tc） TO-247（IXTH）
原厂/品牌
IXYS
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
30
供应商库存
技术参数
制造商
IXYS
系列
MegaMOS™
包装
管件
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
1100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
13A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
920 毫欧 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
195 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
5650 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
360W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-247（IXTH）
封装/外壳
TO-247-3
基本产品编号
IXTH13
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
不适用
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/IXYS IXTH13N110
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规格书
1(IXTH13N110)
PCN 产品变更/停产
1(IXTH13N110 28/Feb/2018)
HTML 规格书
1(IXTH13N110)
价格
-
替代型号
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