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元器件型号详细信息
原厂型号
HAT1069C-EL-E
摘要
MOSFET P-CH 12V 4A 6CMFPAK
详情
表面贴装型 P 通道 12 V 4A（Ta） 900mW（Ta） 6-CMFPAK
原厂/品牌
Renesas Electronics America Inc
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
供应商库存
技术参数
制造商
Renesas Electronics America Inc
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
12 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
4A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
52 毫欧 @ 1.5A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.2V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
16 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1380 pF @ 10 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
900mW（Ta）
工作温度
150°C
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
6-CMFPAK
封装/外壳
6-SMD，扁平引线
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Renesas Electronics America Inc HAT1069C-EL-E
相关文档
规格书
1(HAT1069C)
PCN 产品变更/停产
1(Mult Dev EOL 15/Dec/2018)
PCN 封装
1(Label Change-All Devices 01/Dec/2022)
HTML 规格书
1(HAT1069C)
价格
-
替代型号
-