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GermanyBSZ120P03NS3EGATMA1
元器件型号详细信息
原厂型号
BSZ120P03NS3EGATMA1
摘要
MOSFET P-CH 30V 11A/40A 8TSDSON
详情
表面贴装型 P 通道 30 V 11A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），52W（Tc） PG-TSDSON-8
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
5,000
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
OptiMOS™
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
11A（Ta），40A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
12 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.1V @ 73µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
45 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
3360 pF @ 15 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2.1W（Ta），52W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-TSDSON-8
封装/外壳
8-PowerTDFN
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
BSZ120P03NS3EGATMA1TR
BSZ120P03NS3E G-ND
2156-BSZ120P03NS3EGATMA1
IFEINFBSZ120P03NS3EGATMA1
BSZ120P03NS3E G
SP000709730
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies BSZ120P03NS3EGATMA1
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1(BSZ120P03NS3E G)
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HTML 规格书
1(BSZ120P03NS3E G)
仿真模型
1(MOSFET OptiMOS™ 30V P-Channel Spice Model)
价格
-
替代型号
型号 : BSZ120P03NS3GATMA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 26,370
单价. : ¥7.15000
替代类型. : 参数等效
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型号 : FDMC6675BZ
制造商 : onsemi
库存 : 600
单价. : ¥9.70000
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型号 : SI7121ADN-T1-GE3
制造商 : Vishay Siliconix
库存 : 17,980
单价. : ¥4.93000
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型号 : FDMC6679AZ
制造商 : onsemi
库存 : 3,675
单价. : ¥11.37000
替代类型. : 类似
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单价. : ¥11.37000
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