元器件型号详细信息

原厂型号
IPL65R099C7AUMA1
摘要
MOSFET N-CH 650V 21A 4VSON
详情
表面贴装型 N 通道 650 V 21A(Tc) 128W(Tc) PG-VSON-4
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
39 周
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000

技术参数

制造商
Infineon Technologies
系列
CoolMOS™ C7
包装
卷带(TR)
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
21A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
99 毫欧 @ 5.9A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 590µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
45 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
2140 pF @ 400 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
128W(Tc)
工作温度
-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-VSON-4
封装/外壳
4-PowerTSFN
基本产品编号
IPL65R099

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
2A(4 周)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

448-IPL65R099C7AUMA1DKR
448-IPL65R099C7AUMA1CT
IFEINFIPL65R099C7AUMA1
SP001032722
2156-IPL65R099C7AUMA1
IPL65R099C7AUMA1-ND
448-IPL65R099C7AUMA1TR

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Infineon Technologies IPL65R099C7AUMA1

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HTML 规格书
1(IPL65R099C7)
仿真模型
1(CoolMOS™ Power MOSFET 650V C7 Spice Model)

价格

数量: 3000
单价: $30.85931
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 3000
数量: 1000
单价: $32.04621
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $36.79386
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $42.2536
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $51.036
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $56.52
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
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包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1

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