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GermanyGA10SICP12-263
元器件型号详细信息
原厂型号
GA10SICP12-263
摘要
TRANS SJT 1200V 25A D2PAK
详情
表面贴装型 1200 V 25A（Tc） 170W（Tc） TO-263-7
原厂/品牌
GeneSiC Semiconductor
原厂到货时间
18 周
EDA/CAD 模型
标准包装
50
供应商库存
技术参数
制造商
GeneSiC Semiconductor
系列
-
包装
管件
产品状态
在售
FET 类型
-
技术
SiC（碳化硅结晶体管）
漏源电压（Vdss）
1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
25A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
-
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
100 毫欧 @ 10A
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
-
Vgs（最大值）
-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1403 pF @ 800 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
170W（Tc）
工作温度
175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
TO-263-7
封装/外壳
TO-263-8，D²Pak（7 引线+接片），TO-263CA
基本产品编号
GA10SICP12
相关信息
RoHS 状态
符合 RoHS 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
GA10SICP12-263-ND
1242-1318
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/GeneSiC Semiconductor GA10SICP12-263
相关文档
规格书
1(GA10SICP12-263)
价格
数量: 500
单价: $233.13088
包装: 管件
最小包装数量: 500
包装: 管件
最小包装数量: 500
替代型号
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