元器件型号详细信息

原厂型号
DMNH6008SCT
摘要
MOSFET N-CH 60V 130A TO220AB
详情
通孔 N 通道 60 V 130A(Tc) 210W(Tc) TO-220-3
原厂/品牌
Diodes Incorporated
原厂到货时间
30 周
EDA/CAD 模型
标准包装

技术参数

制造商
Diodes Incorporated
系列
Automotive, AEC-Q101
包装
管件
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
130A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
8 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
21 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
2596 pF @ 30 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
210W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220-3
封装/外壳
TO-220-3
基本产品编号
DMNH6008

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

-

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Diodes Incorporated DMNH6008SCT

相关文档

规格书
1(DMNH6008SCT)
环保信息
1(Diodes Environmental Compliance Cert)
PCN 组装/来源
1(Mult Dev Site Chg 6/Aug/2020)

价格

数量: 50
单价: $10.9566
包装: 管件
最小包装数量: 50

替代型号

型号 : DMNH6008SCTQ
制造商 : Diodes Incorporated
库存 : 72
单价. : ¥15.50000
替代类型. : 参数等效
型号 : STP75NF75
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 2,985
单价. : ¥22.10000
替代类型. : 类似
型号 : IRL2505PBF
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 15,540
单价. : ¥23.37000
替代类型. : 类似
型号 : IXTP90N055T2
制造商 : IXYS
库存 : 20
单价. : ¥22.02000
替代类型. : 类似
型号 : IRF1010NPBF
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 11,019
单价. : ¥13.51000
替代类型. : 类似
型号 : IRF3205PBF
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 518
单价. : ¥14.87000
替代类型. : 类似
型号 : IRF1018EPBF
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 250
单价. : ¥10.10000
替代类型. : 类似