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GermanyNVMFD5C650NLT1G
元器件型号详细信息
原厂型号
NVMFD5C650NLT1G
摘要
MOSFET 2N-CH 60V 111A S08FL
详情
MOSFET - 阵列 60V 21A（Ta），111A（Tc） 3.5W（Ta），125W（Tc） 表面贴装型 8-DFN（5x6）双标记（SO8FL-双通道）
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
17 周
EDA/CAD 模型
标准包装
1,500
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
Automotive, AEC-Q101
包装
卷带（TR）
Product Status
在售
技术
MOSFET（金属氧化物）
配置
2 N-通道（双）
FET 功能
-
漏源电压（Vdss）
60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
21A（Ta），111A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
4.2 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.2V @ 98µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
16nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2546pF @ 25V
功率 - 最大值
3.5W（Ta），125W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-PowerTDFN
供应商器件封装
8-DFN（5x6）双标记（SO8FL-双通道）
基本产品编号
NVMFD5
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
NVMFD5C650NLT1GOSCT
NVMFD5C650NLT1G-ND
NVMFD5C650NLT1GOSTR
NVMFD5C650NLT1GOSDKR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/FET、MOSFET 阵列/onsemi NVMFD5C650NLT1G
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规格书
1(NVMFD5C650NL)
环保信息
()
PCN 组装/来源
1(NVMFD5Cx 08/Sept/2022)
HTML 规格书
1(NVMFD5C650NL)
EDA 模型
1(NVMFD5C650NLT1G by Ultra Librarian)
价格
数量: 3000
单价: $19.13987
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 1500
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 1500
数量: 1500
单价: $20.14721
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 1500
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最小包装数量: 1500
数量: 500
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包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
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替代型号
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