English
Spain
Rusia
Italy
GermanyNDS352P
元器件型号详细信息
原厂型号
NDS352P
摘要
MOSFET P-CH 20V 850MA SUPERSOT3
详情
表面贴装型 P 通道 20 V 850mA（Ta） 500mW（Ta） SOT-23-3
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
850mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
350 毫欧 @ 1A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
4 nC @ 5 V
Vgs（最大值）
±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
125 pF @ 10 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
500mW（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
SOT-23-3
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
基本产品编号
NDS352
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
其它名称
NDS352PTR-NDR
NDS352PTR
NDS352PCT
NDS352PCT-NDR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/onsemi NDS352P
相关文档
规格书
1(NDS352P)
环保信息
1(onsemi RoHS)
HTML 规格书
1(NDS352P)
价格
-
替代型号
型号 : FDN352AP
制造商 : onsemi
库存 : 28,790
单价. : ¥3.66000
替代类型. : 直接
库存 : 28,790
单价. : ¥3.66000
替代类型. : 直接
型号 : NTR0202PLT1G
制造商 : onsemi
库存 : 34,174
单价. : ¥3.42000
替代类型. : 类似
库存 : 34,174
单价. : ¥3.42000
替代类型. : 类似
型号 : NTR1P02LT3G
制造商 : onsemi
库存 : 0
单价. : ¥3.34000
替代类型. : 类似
库存 : 0
单价. : ¥3.34000
替代类型. : 类似