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GermanyIRLR8103VPBF
元器件型号详细信息
原厂型号
IRLR8103VPBF
摘要
MOSFET N-CH 30V 91A DPAK
详情
表面贴装型 N 通道 30 V 91A（Tc） 115W（Tc） D-Pak
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
75
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET®
包装
管件
产品状态
allaboutcomponents.com 停止提供
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
91A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
9 毫欧 @ 15A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
27 nC @ 5 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2672 pF @ 16 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
115W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
D-Pak
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
INFINFIRLR8103VPBF
SP001567340
2156-IRLR8103VPBF
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IRLR8103VPBF
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规格书
1(IRLR8103VPbF)
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1(Part Number Guide)
产品培训模块
()
设计资源
1(IRLR8103VTRPBF Saber Model)
特色产品
1(Data Processing Systems)
PCN 组装/来源
1(Warehouse Transfer 29/Jul/2015)
PCN 封装
1(Package Drawing Update 19/Aug/2015)
PCN 零件状态变更
1(Mult Dev Tube Pkg Disc 12/Jun/2018)
HTML 规格书
1(IRLR8103VPbF)
仿真模型
1(IRLR8103VTRPBF Spice Model)
价格
-
替代型号
型号 : IPD50N03S2L06ATMA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 2,500
单价. : ¥20.91000
替代类型. : 类似
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替代类型. : 类似
型号 : IPD090N03LGATMA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 97,445
单价. : ¥6.28000
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型号 : DMN3010LK3-13
制造商 : Diodes Incorporated
库存 : 1,990
单价. : ¥4.93000
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型号 : FDD8876
制造商 : onsemi
库存 : 2,874
单价. : ¥12.24000
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型号 : PSMN4R5-40BS,118
制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 60
单价. : ¥13.04000
替代类型. : 类似
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替代类型. : 类似
型号 : STD150N3LLH6
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 1,063
单价. : ¥15.98000
替代类型. : 类似
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单价. : ¥15.98000
替代类型. : 类似
型号 : STD100N3LF3
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 2,954
单价. : ¥15.18000
替代类型. : 类似
库存 : 2,954
单价. : ¥15.18000
替代类型. : 类似
型号 : NTD4302T4G
制造商 : onsemi
库存 : 1,750
单价. : ¥12.16000
替代类型. : 类似
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单价. : ¥12.16000
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