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GermanySSM4K27CTTPL3
元器件型号详细信息
原厂型号
SSM4K27CTTPL3
摘要
MOSFET N-CH 20V 500MA CST4
详情
表面贴装型 N 通道 20 V 500mA（Ta） 400mW（Ta） CST4（1.2x0.8）
原厂/品牌
Toshiba Semiconductor and Storage
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
10,000
供应商库存
技术参数
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
系列
U-MOSIII
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
500mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
205 毫欧 @ 250mA，4V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.1V @ 1mA
Vgs（最大值）
±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
174 pF @ 10 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
400mW（Ta）
工作温度
150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
CST4（1.2x0.8）
封装/外壳
4-SMD，无引线
基本产品编号
SSM4K27
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
其它名称
SSM4K27CT(TPL3)TR
SSM4K27CT(TPL3)TR-ND
SSM4K27CTTPL3TR
SSM4K27CT(TPL3)CT
SSM4K27CT(TPL3)DKR
SSM4K27CT(TPL3)CT-ND
SSM4K27CTTPL3CT
SSM4K27CT(TPL3)DKR-ND
SSM4K27CT(TPL3)
SSM4K27CTTPL3DKR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Toshiba Semiconductor and Storage SSM4K27CTTPL3
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价格
-
替代型号
-