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GermanyIRFP2907PBF
元器件型号详细信息
原厂型号
IRFP2907PBF
摘要
MOSFET N-CH 75V 209A TO247AC
详情
通孔 N 通道 75 V 209A（Tc） 470W（Tc） TO-247AC
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
12 周
EDA/CAD 模型
标准包装
25
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET®
包装
管件
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
75 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
209A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
4.5 毫欧 @ 125A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
620 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
13000 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
470W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-247AC
封装/外壳
TO-247-3
基本产品编号
IRFP2907
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
2156-IRFP2907PBF
*IRFP2907PBF
INFINFIRFP2907PBF
SP001571058
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IRFP2907PBF
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规格书
1(IRFP2907PBF Datasheet)
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产品培训模块
1(High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers))
环保信息
1(RoHS Certificate)
设计资源
1(IRFP2907PBF Saber Model)
特色产品
1(Data Processing Systems)
HTML 规格书
1(IRFP2907PBF Datasheet)
EDA 模型
()
仿真模型
1(IRFP2907PBF Spice Model)
价格
数量: 2000
单价: $27.79314
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 1000
单价: $28.86208
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $33.138
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $38.0555
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $45.964
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $50.88
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
替代型号
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