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GermanyFCPF190N65S3L1
元器件型号详细信息
原厂型号
FCPF190N65S3L1
摘要
MOSFET N-CH 650V 14A TO220F-3
详情
通孔 N 通道 650 V 14A（Tc） 33W（Tc） TO-220F-3
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
50
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
SuperFET® III
包装
管件
Product Status
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
14A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
190 毫欧 @ 7A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4.5V @ 1.4mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
30 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1225 pF @ 400 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
33W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220F-3
封装/外壳
TO-220-3 整包
基本产品编号
FCPF190
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
不适用
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
2156-FCPF190N65S3L1-OS
ONSONSFCPF190N65S3L1
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/onsemi FCPF190N65S3L1
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规格书
1(FCPF190N65S3L1)
环保信息
()
PCN 产品变更/停产
1(Mult Dev EOL 29/Jan/2021)
PCN 设计/规格
()
PCN 组装/来源
1(Mold Compound Change 21/Jul/2021)
PCN 封装
1(Mult Devices 24/Oct/2017)
HTML 规格书
1(FCPF190N65S3L1)
价格
数量: 100
单价: $11.418
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 10
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最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
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