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元器件型号详细信息
原厂型号
JAN2N7334
摘要
MOSFET 4N-CH 100V 1A MO-036AB
详情
MOSFET - 阵列 100V 1A 1.4W 通孔 MO-036AB
原厂/品牌
Microsemi Corporation
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
1
供应商库存
技术参数
制造商
Microsemi Corporation
系列
Military, MIL-PRF-19500/597
包装
散装
产品状态
在售
技术
MOSFET（金属氧化物）
配置
4 个 N 通道
FET 功能
-
漏源电压（Vdss）
100V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
700 毫欧 @ 600mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
60nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
-
功率 - 最大值
1.4W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
14-DIP（0.300"，7.62mm）
供应商器件封装
MO-036AB
基本产品编号
2N733
相关信息
RoHS 状态
不符合 RoHS 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
JAN2N7334-MIL
150-JAN2N7334
JAN2N7334-ND
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/FET、MOSFET 阵列/Microsemi Corporation JAN2N7334
相关文档
规格书
1(2N7334)
环保信息
()
HTML 规格书
1(2N7334)
价格
-
替代型号
-