元器件型号详细信息

原厂型号
SI4114DY-T1-E3
摘要
MOSFET N-CH 20V 20A 8SO
详情
表面贴装型 N 通道 20 V 20A(Tc) 2.5W(Ta),5.7W(Tc) 8-SOIC
原厂/品牌
Vishay Siliconix
原厂到货时间
99 周
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500

技术参数

制造商
Vishay Siliconix
系列
TrenchFET®
包装
卷带(TR)
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
20A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
6 毫欧 @ 10A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
95 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
3700 pF @ 10 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
2.5W(Ta),5.7W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
8-SOIC
封装/外壳
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
基本产品编号
SI4114

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

SI4114DY-T1-E3DKR
SI4114DY-T1-E3CT
SI4114DY-T1-E3-ND
SI4114DY-T1-E3TR

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Vishay Siliconix SI4114DY-T1-E3

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规格书
1(Si4114DY)
PCN 组装/来源
1(New Solder Plating Site 18/Apr/2023)
HTML 规格书
1(Si4114DY)

价格

数量: 2500
单价: $6.19769
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 2500
数量: 1000
单价: $6.65682
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 500
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包装: 剪切带(CT)
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数量: 100
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包装: 剪切带(CT)
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