元器件型号详细信息

原厂型号
2SC2713-GR,LF
摘要
TRANS NPN 120V 0.1A TO236
详情
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 120 V 100 mA 100MHz 150 mW 表面贴装型 TO-236
原厂/品牌
Toshiba Semiconductor and Storage
原厂到货时间
52 周
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000

技术参数

制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
系列
-
包装
卷带(TR)
产品状态
在售
晶体管类型
NPN
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)
100 mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
120 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)
300mV @ 1mA,10mA
电流 - 集电极截止(最大值)
100nA(ICBO)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)
200 @ 2mA,6V
功率 - 最大值
150 mW
频率 - 跃迁
100MHz
工作温度
125°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装
TO-236
基本产品编号
2SC2713

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075

其它名称

2SC2713-GRTE85LFCT-ND
2SC2713-GR(TE85L,F
2SC2713-GRLFCT
2SC2713-GRTE85LFTR-ND
2SC2713-GRTE85LFCT
2SC2713-GR,LF(B
2SC2713-GRTE85LFTR
2SC2713-GRTE85LFDKR-ND
2SC2713-GRTE85LF
2SC2713-GR (TE85L,F
2SC2713-GR,LF(T
2SC2713-GRTE85LFDKR
2SC2713-GRLFDKR
2SC2713-GRLFTR

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/双极(BJT)/单双极晶体管/Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2713-GR,LF

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规格书
1(2SC2713)
PCN 封装
1(Marking Chg 08/Feb/2016)
EDA 模型
1(2SC2713-GR by Ultra Librarian)

价格

数量: 150000
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包装: 卷带(TR)
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