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元器件型号详细信息
原厂型号
BSD314SPEL6327HTSA1
摘要
MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT363-6
详情
表面贴装型 P 通道 30 V 1.5A（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT363-PO
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
OptiMOS™
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
140 毫欧 @ 1.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 6.3µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
2.9 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
294 pF @ 15 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
500mW（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-SOT363-PO
封装/外壳
6-VSSOP，SC-88，SOT-363
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
其它名称
BSD314SPE L6327CT-ND
BSD314SPEL6327
BSD314SPE L6327DKR
BSD314SPEL6327HTSA1DKR
BSD314SPE L6327DKR-ND
SP000473008
BSD314SPE L6327
BSD314SPE L6327CT
BSD314SPE L6327-ND
BSD314SPE L6327TR-ND
BSD314SPEL6327HTSA1CT
BSD314SPEL6327HTSA1TR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies BSD314SPEL6327HTSA1
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规格书
1(BSD314SPE)
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特色产品
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PCN 组装/来源
1(Plating Supplier/Wafer Site Add 14/Feb/2017)
HTML 规格书
1(BSD314SPE)
价格
-
替代型号
型号 : BSD314SPEH6327XTSA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 734
单价. : ¥3.02000
替代类型. : 直接
库存 : 734
单价. : ¥3.02000
替代类型. : 直接