English
Spain
Rusia
Italy
GermanyIRL3705ZLPBF
元器件型号详细信息
原厂型号
IRL3705ZLPBF
摘要
MOSFET N-CH 55V 75A TO262
详情
通孔 N 通道 55 V 75A（Tc） 130W（Tc） TO-262
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
50
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET®
包装
管件
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
55 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
75A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
8 毫欧 @ 52A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
60 nC @ 5 V
Vgs（最大值）
±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2880 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
130W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-262
封装/外壳
TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
基本产品编号
IRL3705
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
2156-IRL3705ZLPBF-448
SP001576270
*IRL3705ZLPBF
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IRL3705ZLPBF
相关文档
规格书
1(IRL3705Z(ZS,ZL))
其他相关文档
1(Part Number Guide)
产品培训模块
1(High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers))
设计资源
1(IRL3705ZL Saber Model)
特色产品
1(Data Processing Systems)
PCN 产品变更/停产
1(Mult Dev EOL 23/Sep/2022)
PCN 设计/规格
1(Mult Dev Label Chgs 8/Sep/2021)
PCN 组装/来源
1(Backend Wafer Transfer 23/Oct/2013)
PCN 封装
()
HTML 规格书
1(IRL3705Z(ZS,ZL))
仿真模型
1(IRL3705ZL Spice Model)
价格
-
替代型号
-