元器件型号详细信息

原厂型号
SI7117DN-T1-GE3
摘要
MOSFET P-CH 150V 2.17A PPAK
详情
表面贴装型 P 通道 150 V 2.17A(Tc) 3.2W(Ta),12.5W(Tc) PowerPAK® 1212-8
原厂/品牌
Vishay Siliconix
原厂到货时间
36 周
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000

技术参数

制造商
Vishay Siliconix
系列
TrenchFET®
包装
卷带(TR)
产品状态
在售
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2.17A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
6V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
1.2 欧姆 @ 500mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
12 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
510 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
3.2W(Ta),12.5W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PowerPAK® 1212-8
封装/外壳
PowerPAK® 1212-8
基本产品编号
SI7117

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

SI7117DN-T1-GE3-ND
SI7117DN-T1-GE3CT
SI7117DN-T1-GE3TR
SI7117DN-T1-GE3DKR

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Vishay Siliconix SI7117DN-T1-GE3

相关文档

规格书
1(SI7117DN)
PCN 组装/来源
1(New Solder Plating Site 18/Apr/2023)
HTML 规格书
1(SI7117DN)

价格

数量: 3000
单价: $4.44064
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 3000
数量: 1000
单价: $4.75783
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $6.02658
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $7.2953
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $9.357
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $10.49
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 1000
单价: $4.75783
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $6.02658
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $7.2953
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $9.357
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $10.49
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

替代型号

型号 : SI7117DN-T1-E3
制造商 : Vishay Siliconix
库存 : 2,900
单价. : ¥10.49000
替代类型. : 参数等效
型号 : FDMC86265P
制造商 : onsemi
库存 : 0
单价. : ¥13.12000
替代类型. : 类似