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GermanyIRLS3034PBF
元器件型号详细信息
原厂型号
IRLS3034PBF
摘要
MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK
详情
表面贴装型 N 通道 40 V 195A（Tc） 375W（Tc） D2PAK
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
1,000
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET®
包装
管件
产品状态
allaboutcomponents.com 停止提供
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
195A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.7 毫欧 @ 195A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
162 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
10315 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
375W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
D2PAK
封装/外壳
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
2156-IRLS3034PBF
SP001559018
IFEINFIRLS3034PBF
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IRLS3034PBF
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PCN 组装/来源
1(Mult Device Assembly Site Chg 21/Aug/2017)
PCN 封装
()
PCN 其他
1(Multiple Changes 06/Oct/2014)
PCN 零件状态变更
1(Mult Dev Tube Pkg Disc 12/Jun/2018)
HTML 规格书
1(IRLS3034PBF)
价格
-
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