SIR626DP-T1-RE3

元器件型号详细信息

原厂型号

SIR626DP-T1-RE3

摘要

MOSFET N-CH 60V 100A PPAK SO-8

详情

表面贴装型 N 通道 60 V 100A（Tc） 104W（Tc） PowerPAK® SO-8

原厂/品牌

Vishay Siliconix

原厂到货时间

88 周

EDA/CAD 模型

标准包装

3,000

供应商库存

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技术参数

制造商

Vishay Siliconix

系列

TrenchFET® Gen IV

包装

卷带（TR）

Product Status

在售

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

100A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

6V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

1.7 毫欧 @ 20A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.4V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

78 nC @ 7.5 V

Vgs（最大值）

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

5130 pF @ 30 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

104W（Tc）

工作温度

-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

PowerPAK® SO-8

封装/外壳

PowerPAK® SO-8

基本产品编号

SIR626

其它名称

SIR626DP-T1-RE3DKR

SIR626DP-T1-RE3TR

SIR626DP-T1-RE3CT

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Vishay Siliconix SIR626DP-T1-RE3

价格

数量: 3000

单价: $6.8459
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000

数量: 1000

单价: $7.35302
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 500

单价: $8.87432
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 100

单价: $10.8015
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 10

单价: $13.435
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 1

单价: $14.95
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 1000

单价: $7.35302
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 500

单价: $8.87432
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 100

单价: $10.8015
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 10

单价: $13.435
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 1

单价: $14.95
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

替代型号

型号 : RS1L145GNTB

制造商 : Rohm Semiconductor
库存 : 1,071
单价. : ¥16.69000
替代类型. : 类似

型号 : RS1L120GNTB

制造商 : Rohm Semiconductor
库存 : 9
单价. : ¥13.91000
替代类型. : 类似

M1427-5008-SS-20 7683-C-440-AL 8853-3124-SS 2342078-6 97053617

SIR626DP-T1-RE3

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