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GermanyFDMS1D2N03DSD
元器件型号详细信息
原厂型号
FDMS1D2N03DSD
摘要
PT11N 30/12 & PT11N 30/12
详情
MOSFET - 阵列 30V 19A（Ta），70A（Tc），37A（Ta），164A（Tc） 2.1W（Ta），26W（Tc），2.3W（Ta），42W（Tc） 表面贴装型 8-PQFN（5x6）
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
PowerTrench®
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
技术
MOSFET（金属氧化物）
配置
2 N 沟道（双）非对称型
FET 功能
-
漏源电压（Vdss）
30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
19A（Ta），70A（Tc），37A（Ta），164A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3.25 毫欧 @ 19A，10V，0.97 毫欧 @ 37A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 320µA，3V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
33nC @ 10V，117nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1410pF @ 15V，4860pF @ 15V
功率 - 最大值
2.1W（Ta），26W（Tc），2.3W（Ta），42W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-PowerWDFN
供应商器件封装
8-PQFN（5x6）
基本产品编号
FDMS1
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
FDMS1D2N03DSDOSCT
FDMS1D2N03DSDOSDKR
FDMS1D2N03DSDOSTR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/FET、MOSFET 阵列/onsemi FDMS1D2N03DSD
相关文档
规格书
1(FDMS1D2N03DSD)
视频文件
1(Brushless DC Motor Control | Datasheet Preview)
环保信息
()
PCN 产品变更/停产
1(Mult Dev EOL 30/Sep/2022)
PCN 设计/规格
1(Gate Leadpost Dimension Change 01/Sep/2021)
PCN 组装/来源
1(Lead Frame Design 11/Nov/2020)
HTML 规格书
1(FDMS1D2N03DSD)
价格
-
替代型号
型号 : NTMFD0D9N02P1E
制造商 : onsemi
库存 : 0
单价. : ¥0.00000
替代类型. : MFR Recommended
库存 : 0
单价. : ¥0.00000
替代类型. : MFR Recommended