元器件型号详细信息

原厂型号
1N5225B A0G
摘要
DIODE ZENER 3V 500MW DO35
详情
二极管 - 齐纳 3 V 500 mW ±5% 通孔 DO-35
原厂/品牌
Taiwan Semiconductor Corporation
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
5,000

技术参数

制造商
Taiwan Semiconductor Corporation
系列
-
包装
带盒(TB)
产品状态
在售
电压 - 齐纳(标称值)(Vz)
3 V
容差
±5%
功率 - 最大值
500 mW
阻抗(最大值)(Zzt)
29 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏
50 µA @ 1 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1.1 V @ 200 mA
工作温度
100°C(TJ)
安装类型
通孔
封装/外壳
DO-204AH,DO-35,轴向
供应商器件封装
DO-35
基本产品编号
1N5225

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.10.0050

其它名称

1N5225BA0G
1N5225B A0G-ND

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/二极管/齐纳/单齐纳二极管/Taiwan Semiconductor Corporation 1N5225B A0G

相关文档

规格书
1(1N5221B - 1N5263B)
环保信息
()
HTML 规格书
1(1N5221B - 1N5263B)
EDA 模型
1(1N5225B A0G by SnapEDA)

价格

-

替代型号

型号 : 1N5225B
制造商 : onsemi
库存 : 23,609
单价. : ¥1.27000
替代类型. : 直接
型号 : 1N5225B TR PBFREE
制造商 : Central Semiconductor Corp
库存 : 9,308
单价. : ¥3.66000
替代类型. : 升级
型号 : TZX3V0B-TR
制造商 : Vishay General Semiconductor - Diodes Division
库存 : 19,073
单价. : ¥1.67000
替代类型. : 类似
型号 : TZX3V0C-TR
制造商 : Vishay General Semiconductor - Diodes Division
库存 : 17,294
单价. : ¥1.91000
替代类型. : 类似
型号 : 1N5225A(DO-35)
制造商 : Microchip Technology
库存 : 4,802
单价. : ¥18.31658
替代类型. : 类似
型号 : 1N5225B-TR
制造商 : Vishay General Semiconductor - Diodes Division
库存 : 20,581
单价. : ¥1.83000
替代类型. : 类似
型号 : BZX55C3V0-TAP
制造商 : Vishay General Semiconductor - Diodes Division
库存 : 8,050
单价. : ¥1.83000
替代类型. : 类似
型号 : TZX3V0A-TR
制造商 : Vishay General Semiconductor - Diodes Division
库存 : 29,969
单价. : ¥1.91000
替代类型. : 类似
型号 : 1N4619-1
制造商 : Microchip Technology
库存 : 658
单价. : ¥20.99000
替代类型. : 类似
型号 : 1N5225B-TAP
制造商 : Vishay General Semiconductor - Diodes Division
库存 : 29,564
单价. : ¥1.83000
替代类型. : 类似
型号 : BZX55B3V0-TAP
制造商 : Vishay General Semiconductor - Diodes Division
库存 : 29,462
单价. : ¥1.75000
替代类型. : 类似