元器件型号详细信息

原厂型号
SIS590DN-T1-GE3
摘要
COMBO N- & P-CHANNEL 100 V (D-S)
详情
MOSFET - 阵列 100V 2.7A(Ta),4A(Tc),2.3A(Ta),4A(Tc) 2.5W(Ta),17.9W(Tc),2.6W(Ta),23.1W(Tc) 表面贴装型 PowerPAK® 1212-8 双
原厂/品牌
Vishay Siliconix
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000

技术参数

制造商
Vishay Siliconix
系列
TrenchFET®
包装
卷带(TR)
Product Status
在售
技术
MOSFET(金属氧化物)
配置
N 和 P 沟道
FET 功能
-
漏源电压(Vdss)
100V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2.7A(Ta),4A(Tc),2.3A(Ta),4A(Tc)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
167 毫欧 @ 1.5A,10V,251 毫欧 @ 2.3A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
-
功率 - 最大值
2.5W(Ta),17.9W(Tc),2.6W(Ta),23.1W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
PowerPAK® 1212-8 双
供应商器件封装
PowerPAK® 1212-8 双
基本产品编号
SIS590

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

742-SIS590DN-T1-GE3TR
742-SIS590DN-T1-GE3DKR
742-SIS590DN-T1-GE3CT

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/FET、MOSFET 阵列/Vishay Siliconix SIS590DN-T1-GE3

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规格书
1(SIS590DN)
HTML 规格书
1(SIS590DN)

价格

数量: 1000
单价: $3.55839
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数量: 500
单价: $4.50726
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