English
Spain
Rusia
Italy
GermanyIPI030N10N3GXKSA1
元器件型号详细信息
原厂型号
IPI030N10N3GXKSA1
摘要
MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3
详情
通孔 N 通道 100 V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO262-3
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
500
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
OptiMOS™
包装
管件
Product Status
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3 毫欧 @ 100A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.5V @ 275µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
206 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
14800 pF @ 50 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
300W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
PG-TO262-3
封装/外壳
TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
基本产品编号
IPI030
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
2156-IPI030N10N3GXKSA1
SP000680648
INFINFIPI030N10N3GXKSA1
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IPI030N10N3GXKSA1
相关文档
规格书
1(IPP030N10N3, IPP030N10N3 G)
其他相关文档
1(Part Number Guide)
特色产品
1(Data Processing Systems)
PCN 产品变更/停产
1(Mult Dev EOL 13/Apr/2022)
PCN 组装/来源
1(Mult Dev Subcontact Chg 21/Dec/2017)
HTML 规格书
1(IPP030N10N3, IPP030N10N3 G)
仿真模型
1(MOSFET OptiMOS™ 100V N-Channel Spice Model)
价格
-
替代型号
型号 : IPI045N10N3GXKSA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 0
单价. : ¥32.51000
替代类型. : MFR Recommended
库存 : 0
单价. : ¥32.51000
替代类型. : MFR Recommended