元器件型号详细信息

原厂型号
SUP50020E-GE3
摘要
MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
详情
通孔 N 通道 60 V 120A(Tc) 375W(Tc) TO-220AB
原厂/品牌
Vishay Siliconix
原厂到货时间
88 周
EDA/CAD 模型
标准包装
50

技术参数

制造商
Vishay Siliconix
系列
TrenchFET®
包装
管件
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
120A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
7.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
2.4 毫欧 @ 30A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
128 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
375W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220AB
封装/外壳
TO-220-3
基本产品编号
SUP50020

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
不适用
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

SUP50020E-GE3DKRINACTIVE
SUP50020E-GE3CT
SUP50020E-GE3CT-ND
SUP50020E-GE3TR
SUP50020E-GE3TRINACTIVE
SUP50020E-GE3DKR
SUP50020E-GE3TR-ND
SUP50020E-GE3DKR-ND

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Vishay Siliconix SUP50020E-GE3

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规格书
1(SUP50020E)
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1(Medium Voltage MOSFETS for Industrial Applications)
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1(SUP50020E)

价格

数量: 5000
单价: $11.25096
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 2000
单价: $11.69045
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 1000
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包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 10
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包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 1
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包装: 管件
最小包装数量: 1

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