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GermanyIGB50N65S5ATMA1
元器件型号详细信息
原厂型号
IGB50N65S5ATMA1
摘要
IGBT TRENCH/FS 650V 80A TO263-3
详情
IGBT 沟槽型场截止 650 V 80 A 270 W 表面贴装型 PG-TO263-3
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
60 周
EDA/CAD 模型
标准包装
1,000
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
TrenchStop™ 5
包装
卷带（TR）
Product Status
在售
IGBT 类型
沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）
650 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
80 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
200 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
1.7V @ 15V，50A
功率 - 最大值
270 W
开关能量
1.23mJ（开），740µJ（关）
输入类型
标准
栅极电荷
120 nC
25°C 时 Td（开/关）值
20ns/139ns
测试条件
400V，50A，8.2 欧姆，15V
工作温度
-40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
供应商器件封装
PG-TO263-3
基本产品编号
IGB50
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
IGB50N65S5ATMA1CT
IGB50N65S5ATMA1TR
2156-IGB50N65S5ATMA1
IGB50N65S5ATMA1DKR
SP001502566
IGB50N65S5ATMA1-ND
IFEINFIGB50N65S5ATMA1
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/IGBT/单 IGBT/Infineon Technologies IGB50N65S5ATMA1
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规格书
1(IGB50N65S5)
PCN 组装/来源
1(Mult Dev Wafer Chg 7/Aug/2019)
PCN 封装
1(Mult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018)
HTML 规格书
1(IGB50N65S5)
价格
数量: 500
单价: $19.46536
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
数量: 1000
单价: $19.92309
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 1000
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最小包装数量: 1000
数量: 100
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