English
Spain
Rusia
Italy
GermanyIRF7465
元器件型号详细信息
原厂型号
IRF7465
摘要
MOSFET N-CH 150V 1.9A 8SO
详情
表面贴装型 N 通道 150 V 1.9A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
95
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET®
包装
管件
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.9A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
280 毫欧 @ 1.14A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
5.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
15 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
330 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2.5W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
8-SO
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
相关信息
RoHS 状态
不符合 RoHS 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IRF7465
相关文档
规格书
1(IRF7465)
其他相关文档
1(IR Part Numbering System)
特色产品
1(Data Processing Systems)
HTML 规格书
1(IRF7465)
价格
-
替代型号
型号 : RS6R035BHTB1
制造商 : Rohm Semiconductor
库存 : 2,500
单价. : ¥20.17000
替代类型. : 类似
库存 : 2,500
单价. : ¥20.17000
替代类型. : 类似
型号 : RS6R060BHTB1
制造商 : Rohm Semiconductor
库存 : 4,990
单价. : ¥26.89000
替代类型. : 类似
库存 : 4,990
单价. : ¥26.89000
替代类型. : 类似
型号 : SI4464DY-T1-E3
制造商 : Vishay Siliconix
库存 : 0
单价. : ¥11.42000
替代类型. : 类似
库存 : 0
单价. : ¥11.42000
替代类型. : 类似
型号 : SI4464DY-T1-GE3
制造商 : Vishay Siliconix
库存 : 0
单价. : ¥11.34000
替代类型. : 类似
库存 : 0
单价. : ¥11.34000
替代类型. : 类似