English
Spain
Rusia
Italy
GermanySTP7NK80Z
元器件型号详细信息
原厂型号
STP7NK80Z
摘要
MOSFET N-CH 800V 5.2A TO220AB
详情
通孔 N 通道 800 V 5.2A（Tc） 125W（Tc） TO-220
原厂/品牌
STMicroelectronics
原厂到货时间
50 周
EDA/CAD 模型
标准包装
50
供应商库存
技术参数
制造商
STMicroelectronics
系列
SuperMESH™
包装
管件
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
5.2A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.8 欧姆 @ 2.6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4.5V @ 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
56 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1138 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
125W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220
封装/外壳
TO-220-3
基本产品编号
STP7NK80
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
STP7NK80Z-ND
497-15684-5
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/STMicroelectronics STP7NK80Z
相关文档
规格书
1(ST(B,P)7NK80Z(-1,FP))
其他相关文档
1(STP7NK80Z View All Specifications)
产品培训模块
1(STMicroelectronics ST MOSFETs)
PCN 设计/规格
1(Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019)
PCN 组装/来源
1(New Molding Compound 13/Sep/2019)
HTML 规格书
1(ST(B,P)7NK80Z(-1,FP))
EDA 模型
()
价格
数量: 5000
单价: $10.8599
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 2000
单价: $11.28413
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 1000
单价: $11.87803
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $14.08388
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $16.5445
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $20.193
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $22.5
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
替代型号
型号 : IXFP7N80P
制造商 : IXYS
库存 : 300
单价. : ¥42.13000
替代类型. : 类似
库存 : 300
单价. : ¥42.13000
替代类型. : 类似
型号 : FQP7N80C
制造商 : onsemi
库存 : 617
单价. : ¥21.86000
替代类型. : 类似
库存 : 617
单价. : ¥21.86000
替代类型. : 类似