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GermanyDMT10H017LPD-13
元器件型号详细信息
原厂型号
DMT10H017LPD-13
摘要
MOSFET BVDSS: 61V-100V POWERDI50
详情
MOSFET - 阵列 100V 54.7A（Tc） 2.2W（Ta），78W（Tc） 表面贴装型 PowerDI5060-8
原厂/品牌
Diodes Incorporated
原厂到货时间
20 周
EDA/CAD 模型
标准包装
供应商库存
技术参数
制造商
Diodes Incorporated
系列
Automotive, AEC-Q101
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
技术
MOSFET（金属氧化物）
配置
2 N-通道（双）
FET 功能
-
漏源电压（Vdss）
100V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
54.7A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
17.4 毫欧 @ 17A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
28.6nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1986pF @ 50V
功率 - 最大值
2.2W（Ta），78W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-PowerTDFN
供应商器件封装
PowerDI5060-8
基本产品编号
DMT10
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/FET、MOSFET 阵列/Diodes Incorporated DMT10H017LPD-13
相关文档
规格书
1(DMT10H017LPD)
环保信息
1(Diodes Environmental Compliance Cert)
价格
数量: 12500
单价: $5.04296
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2500
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2500
数量: 5000
单价: $5.23995
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2500
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2500
数量: 2500
单价: $5.51574
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2500
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2500
替代型号
-