元器件型号详细信息

原厂型号
IPB120N06S403ATMA1
摘要
MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
详情
表面贴装型 N 通道 60 V 120A(Tc) 167W(Tc) PG-TO263-3-2
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
1,000

技术参数

制造商
Infineon Technologies
系列
OptiMOS™
包装
卷带(TR)
产品状态
allaboutcomponents.com 停止提供
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
120A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
2.8 毫欧 @ 100A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 120µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
160 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
13150 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
167W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-TO263-3-2
封装/外壳
TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
基本产品编号
IPB120N

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

2156-IPB120N06S403ATMA1-ITTR
IPB120N06S403ATMA1TR
IPB120N06S4-03
SP000415558
IPB120N06S4-03-ND
INFINFIPB120N06S403ATMA1

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Infineon Technologies IPB120N06S403ATMA1

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1(IPx120N06S4-03)

价格

数量: 10000
单价: $7.39713
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 1000
数量: 5000
单价: $7.59179
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 1000
数量: 2000
单价: $7.8838
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 1000
数量: 1000
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包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 1000

替代型号

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单价. : ¥25.68000
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制造商 : Infineon Technologies
库存 : 7,200
单价. : ¥30.21000
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型号 : IRF1404ZSTRLPBF
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 291
单价. : ¥17.49000
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库存 : 10,501
单价. : ¥40.31000
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库存 : 0
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制造商 : Nexperia USA Inc.
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单价. : ¥51.36000
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库存 : 0
单价. : ¥11.39420
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制造商 : Diodes Incorporated
库存 : 0
单价. : ¥24.57000
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