English
Spain
Rusia
Italy
GermanyFDP032N08-F102
元器件型号详细信息
原厂型号
FDP032N08-F102
摘要
MOSFET N-CHANNEL 75V 120A TO220
详情
通孔 N 通道 75 V 120A（Tc） 375W（Tc） TO-220
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
1,000
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
-
包装
管件
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
75 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
120A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3.2 毫欧 @ 75A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
220 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
15160 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
375W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220
封装/外壳
TO-220-3
基本产品编号
FDP032
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
不适用
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
FDP032N08_F102
FDP032N08_F102-ND
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/onsemi FDP032N08-F102
相关文档
规格书
1(FDP032N08)
环保信息
()
PCN 设计/规格
1(Logo 17/Aug/2017)
PCN 组装/来源
1(Mult Dev Site Add 3/Jan/2020)
PCN 封装
1(Mult Devices 24/Oct/2017)
价格
-
替代型号
型号 : FDP032N08
制造商 : onsemi
库存 : 1,000
单价. : ¥48.34000
替代类型. : 参数等效
库存 : 1,000
单价. : ¥48.34000
替代类型. : 参数等效
型号 : IRFB3077PBF
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 4,356
单价. : ¥37.76000
替代类型. : 直接
库存 : 4,356
单价. : ¥37.76000
替代类型. : 直接
型号 : AOT266L
制造商 : Alpha & Omega Semiconductor Inc.
库存 : 965
单价. : ¥19.24000
替代类型. : 类似
库存 : 965
单价. : ¥19.24000
替代类型. : 类似
型号 : IXTP260N055T2
制造商 : IXYS
库存 : 73
单价. : ¥50.32000
替代类型. : 类似
库存 : 73
单价. : ¥50.32000
替代类型. : 类似
型号 : DMT6004SCT
制造商 : Diodes Incorporated
库存 : 0
单价. : ¥15.82000
替代类型. : 类似
库存 : 0
单价. : ¥15.82000
替代类型. : 类似
型号 : IPP032N06N3GXKSA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 3,432
单价. : ¥19.64000
替代类型. : 类似
库存 : 3,432
单价. : ¥19.64000
替代类型. : 类似