SPP12N50C3HKSA1

元器件型号详细信息

原厂型号

SPP12N50C3HKSA1

摘要

MOSFET N-CH 560V 11.6A TO220-3

详情

通孔 N 通道 560 V 11.6A（Tc） 125W（Tc） PG-TO220-3-1

原厂/品牌

Infineon Technologies

原厂到货时间

EDA/CAD 模型

标准包装

500

供应商库存

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技术参数

制造商

Infineon Technologies

系列

CoolMOS™

包装

管件

产品状态

停产

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

560 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

11.6A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

380 毫欧 @ 7A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.9V @ 500µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

49 nC @ 10 V

Vgs（最大值）

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

1200 pF @ 25 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

125W（Tc）

工作温度

-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型

通孔

供应商器件封装

PG-TO220-3-1

封装/外壳

TO-220-3

基本产品编号

SPP12N

其它名称

SPP12N50C3IN-NDR

SPP12N50C3XTIN-ND

SPP12N50C3IN

SPP12N50C3XK

SPP12N50C3XTIN

SPP12N50C3X

SPP12N50C3IN-ND

SP000014459

SPP12N50C3

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies SPP12N50C3HKSA1

价格

-

替代型号

型号 : IRFBC30APBF

制造商 : Vishay Siliconix
库存 : 1,574
单价. : ¥24.41000
替代类型. : 类似

型号 : STP12N50M2

制造商 : STMicroelectronics
库存 : 0
单价. : ¥13.67000
替代类型. : 类似

型号 : STP14NM50N

制造商 : STMicroelectronics
库存 : 921
单价. : ¥31.88000
替代类型. : 类似

型号 : STP11NM50N

制造商 : STMicroelectronics
库存 : 847
单价. : ¥14.07000
替代类型. : 类似

型号 : STP13N60M2

制造商 : STMicroelectronics
库存 : 987
单价. : ¥17.25000
替代类型. : 类似

型号 : IRF830APBF

制造商 : Vishay Siliconix
库存 : 6,809
单价. : ¥12.48000
替代类型. : 类似

型号 : STP16N65M2

制造商 : STMicroelectronics
库存 : 1,821
单价. : ¥20.11000
替代类型. : 类似

型号 : IRF830A

制造商 : Vishay Siliconix
库存 : 0
单价. : ¥0.00000
替代类型. : 类似

型号 : STP14NK50Z

制造商 : STMicroelectronics
库存 : 0
单价. : ¥0.00000
替代类型. : 类似

型号 : IXTP16N50P

制造商 : IXYS
库存 : 57
单价. : ¥38.24000
替代类型. : 类似

型号 : FCPF11N60

制造商 : onsemi
库存 : 995
单价. : ¥26.55000
替代类型. : 类似

RN73H2ETTD3092C25 "PZM11NB2,115"TMMH-140-01-S-DV-M EBC60DRYN-S93 B43504C2128M000

SPP12N50C3HKSA1

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