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GermanyTJ10S04M3L,LXHQ
元器件型号详细信息
原厂型号
TJ10S04M3L,LXHQ
摘要
MOSFET P-CH 40V 10A DPAK
详情
表面贴装型 P 通道 40 V 10A（Ta） 27W（Tc） DPAK+
原厂/品牌
Toshiba Semiconductor and Storage
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
2,000
供应商库存
技术参数
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
系列
U-MOSVI
包装
卷带（TR）
Product Status
在售
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
10A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
44 毫欧 @ 5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
19 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
+10V，-20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
930 pF @ 10 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
27W（Tc）
工作温度
175°C
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
DPAK+
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
基本产品编号
TJ10S04
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
264-TJ10S04M3LLXHQCT
264-TJ10S04M3LLXHQDKR
264-TJ10S04M3LLXHQTR
TJ10S04M3L,LXHQ(O
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Toshiba Semiconductor and Storage TJ10S04M3L,LXHQ
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规格书
1(TJ10S04M3L)
EDA 模型
1(TJ10S04M3L,LXHQ by Ultra Librarian)
价格
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