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GermanyRSD200N10TL
元器件型号详细信息
原厂型号
RSD200N10TL
摘要
MOSFET N-CH 100V 20A CPT3
详情
表面贴装型 N 通道 100 V 20A（Ta） 20W（Tc） CPT3
原厂/品牌
Rohm Semiconductor
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500
供应商库存
技术参数
制造商
Rohm Semiconductor
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
20A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
52 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
48.5 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2200 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
20W（Tc）
工作温度
150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
CPT3
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
基本产品编号
RSD200
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
RSD200N10TLTR
RSD200N10TLCT
RSD200N10TLDKR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Rohm Semiconductor RSD200N10TL
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规格书
1(RSD200N10)
特色产品
1(MOSFET ECOMOS)
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1(EOL_Transistor_7207_26/Jun/2014)
HTML 规格书
1(RSD200N10)
价格
-
替代型号
型号 : HUF76629D3ST
制造商 : onsemi
库存 : 2,452
单价. : ¥22.10000
替代类型. : 直接
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型号 : IRFR120TRLPBF
制造商 : Vishay Siliconix
库存 : 12,487
单价. : ¥12.64000
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型号 : IRFR120PBF
制造商 : Vishay Siliconix
库存 : 9,039
单价. : ¥9.78000
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型号 : IRFR120TRPBF
制造商 : Vishay Siliconix
库存 : 1,508
单价. : ¥12.56000
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型号 : AOD4286
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库存 : 0
单价. : ¥1.87608
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型号 : IRLR120NTRLPBF
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库存 : 3,930
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型号 : AUIRLR120NTRL
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库存 : 15,777
单价. : ¥18.13000
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型号 : IRFR3910TRPBF
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库存 : 172
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型号 : IRFR120TRRPBF
制造商 : Vishay Siliconix
库存 : 0
单价. : ¥5.35235
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型号 : ZXMN10A09KTC
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型号 : FDD3690
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库存 : 0
单价. : ¥16.22000
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型号 : IRLR3410TRLPBF
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库存 : 67,016
单价. : ¥11.05000
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型号 : TK7S10N1Z,LQ
制造商 : Toshiba Semiconductor and Storage
库存 : 1,131
单价. : ¥11.85000
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型号 : NVD6495NLT4G-VF01
制造商 : onsemi
库存 : 2,200
单价. : ¥11.13000
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型号 : IRFR3910TRLPBF
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 27,865
单价. : ¥11.21000
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型号 : IRLR3410TRPBF
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 40,514
单价. : ¥11.05000
替代类型. : 类似
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