元器件型号详细信息

原厂型号
PSMN1R5-25YL,115
摘要
MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56
详情
表面贴装型 N 通道 25 V 100A(Tc) 109W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
原厂/品牌
Nexperia USA Inc.
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
1,500

技术参数

制造商
Nexperia USA Inc.
系列
TrenchMOS™
包装
卷带(TR)
Product Status
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
25 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
100A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
1.5 毫欧 @ 15A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.15V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
76 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
4830 pF @ 12 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
109W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
LFPAK56,Power-SO8
封装/外壳
SC-100,SOT-669
基本产品编号
PSMN1R5

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

934063451115
568-4907-6-ND
568-4907-2
568-4907-1-ND
568-4907-2-ND
568-4907-1
1727-4275-1
568-4907-6
1727-4275-2
1727-4275-6

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Nexperia USA Inc. PSMN1R5-25YL,115

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规格书
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特色产品
1(LFPAK Trench 6 MOSFETs)
PCN 产品变更/停产
1(PSMN1R5-25YL,115 obs 29/Apr/2022)
PCN 设计/规格
1(Solder Material Update 14/Sep/2015)
PCN 组装/来源
1(PSMNyy Site Chg 9/Apr/2021)
PCN 封装
()
HTML 规格书
1(PSMN1R5-25YL)

价格

-

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