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元器件型号详细信息
原厂型号
1N6629US
摘要
DIODE GEN PURP 880V 1.4A A-MELF
详情
二极管 880 V 1.4A 表面贴装型 A-MELF
原厂/品牌
Microsemi Corporation
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
1
供应商库存
技术参数
制造商
Microsemi Corporation
系列
-
包装
散装
产品状态
allaboutcomponents.com 停止提供
技术
标准
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）
880 V
电流 - 平均整流 (Io)
1.4A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1.4 V @ 1.4 A
速度
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
反向恢复时间 (trr)
50 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏
2 µA @ 880 V
不同 Vr、F 时电容
40pF @ 10V，1MHz
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
SQ-MELF，A
供应商器件封装
A-MELF
工作温度 - 结
-65°C ~ 150°C
相关信息
RoHS 状态
不符合 RoHS 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.10.0080
其它名称
1N6629US-ND
150-1N6629US
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/二极管/整流器/单二极管/Microsemi Corporation 1N6629US
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规格书
1(1N6626US-1N6631US)
环保信息
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HTML 规格书
1(1N6626US-1N6631US)
价格
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