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GermanySQM200N04-1M7L_GE3
元器件型号详细信息
原厂型号
SQM200N04-1M7L_GE3
摘要
MOSFET N-CH 40V 200A TO263-7
详情
表面贴装型 N 通道 40 V 200A（Tc） 375W（Tc） TO-263-7
原厂/品牌
Vishay Siliconix
原厂到货时间
99 周
EDA/CAD 模型
标准包装
800
供应商库存
技术参数
制造商
Vishay Siliconix
系列
TrenchFET®
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
200A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.7 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
291 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
11168 pF @ 20 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
375W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
TO-263-7
封装/外壳
TO-263-7，D²Pak（6 引线 + 接片）
基本产品编号
SQM200
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
SQM200N04-1M7L_GE3-ND
SQM200N04-1M7L_GE3CT
SQM200N04-1M7L_GE3TR
SQM200N04-1M7L_GE3DKR
SQM200N04-1M7L-GE3
SQM200N04-1M7L-GE3-ND
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Vishay Siliconix SQM200N04-1M7L_GE3
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规格书
1(SQM200N04-1M7L-GE3)
PCN 组装/来源
1(SIL-006-2015-Rev-1 03/Mar/2015)
PCN 零件编号
1(New Ordering Code 19/Mar/2015)
HTML 规格书
1(SQM200N04-1M7L-GE3)
价格
数量: 800
单价: $16.76654
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 800
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 800
数量: 100
单价: $19.6959
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $24.041
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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替代型号
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