English
Spain
Rusia
Italy
GermanyNXH160T120L2Q2F2S1G
元器件型号详细信息
原厂型号
NXH160T120L2Q2F2S1G
摘要
PIM POWER MODULE
详情
IGBT 模块 三级反相器 1200 V 181 A 500 W 底座安装 56-PIM/Q2PACK（93x47）
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
12
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
-
包装
托盘
Product Status
在售
IGBT 类型
-
配置
三级反相器
电压 - 集射极击穿（最大值）
1200 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
181 A
功率 - 最大值
500 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
2.7V @ 15V，160A
电流 - 集电极截止（最大值）
500 µA
不同 Vce 时输入电容 (Cies)
38.8 nF @ 25 V
输入
标准
NTC 热敏电阻
是
工作温度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
底座安装
封装/外壳
模块
供应商器件封装
56-PIM/Q2PACK（93x47）
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/IGBT/IGBT 模块/onsemi NXH160T120L2Q2F2S1G
相关文档
规格书
1(NXH160T120L2Q2F2S1G)
环保信息
()
特色产品
1(Power Integrated Modules)
PCN 组装/来源
1(Wafer Fab Change 27/Dec/2022)
HTML 规格书
1(NXH160T120L2Q2F2S1G)
价格
数量: 36
单价: $907.93972
包装: 托盘
最小包装数量: 36
包装: 托盘
最小包装数量: 36
替代型号
-