元器件型号详细信息

原厂型号
2SK2866(F)
摘要
MOSFET N-CH 600V 10A TO220AB
详情
通孔 N 通道 600 V 10A(Ta) 125W(Tc) TO-220AB
原厂/品牌
Toshiba Semiconductor and Storage
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装

技术参数

制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
系列
-
包装
散装
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
10A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
750 毫欧 @ 5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
45 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
2040 pF @ 10 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
125W(Tc)
工作温度
150°C(TJ)
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220AB
封装/外壳
TO-220-3
基本产品编号
2SK2866

相关信息

湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

-

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2866(F)

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价格

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