元器件型号详细信息

原厂型号
SIHH21N65EF-T1-GE3
摘要
MOSFET N-CH 650V 19.8A PPAK 8X8
详情
表面贴装型 N 通道 650 V 19.8A(Tc) 156W(Tc) PowerPAK® 8 x 8
原厂/品牌
Vishay Siliconix
原厂到货时间
67 周
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000

技术参数

制造商
Vishay Siliconix
系列
-
包装
卷带(TR)
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
19.8A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
180 毫欧 @ 11A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
102 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
2396 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
156W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PowerPAK® 8 x 8
封装/外壳
8-PowerTDFN
基本产品编号
SIHH21

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

SIHH21N65EF-T1-GE3DKR
SIHH21N65EF-T1-GE3CT
SIHH21N65EF-T1-GE3TR

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Vishay Siliconix SIHH21N65EF-T1-GE3

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规格书
1(SIHH21N65EF)
特色产品
1(650 V Fast Body Diode MOSFETs)
HTML 规格书
1(SIHH21N65EF)

价格

数量: 3000
单价: $27.1667
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 3000
数量: 500
单价: $32.29266
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $37.9338
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $46.3
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $51.52
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $33.90728
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $39.8306
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $48.614
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $54.14
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

替代型号

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