SIHH21N65EF-T1-GE3

元器件型号详细信息

原厂型号

SIHH21N65EF-T1-GE3

摘要

MOSFET N-CH 650V 19.8A PPAK 8X8

详情

表面贴装型 N 通道 650 V 19.8A（Tc） 156W（Tc） PowerPAK® 8 x 8

原厂/品牌

Vishay Siliconix

原厂到货时间

67 周

EDA/CAD 模型

标准包装

3,000

供应商库存

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技术参数

制造商

Vishay Siliconix

系列

-

包装

卷带（TR）

产品状态

在售

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

650 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

19.8A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

180 毫欧 @ 11A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

102 nC @ 10 V

Vgs（最大值）

±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

2396 pF @ 100 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

156W（Tc）

工作温度

-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

PowerPAK® 8 x 8

封装/外壳

8-PowerTDFN

基本产品编号

SIHH21

其它名称

SIHH21N65EF-T1-GE3DKR

SIHH21N65EF-T1-GE3CT

SIHH21N65EF-T1-GE3TR

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Vishay Siliconix SIHH21N65EF-T1-GE3

价格

数量: 3000

单价: $27.1667
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000

数量: 500

单价: $32.29266
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 100

单价: $37.9338
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 10

单价: $46.3
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 1

单价: $51.52
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 500

单价: $33.90728
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 100

单价: $39.8306
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 10

单价: $48.614
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 1

单价: $54.14
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

替代型号

-

SP3014-02UTG MTSW-121-07-T-D-225 A08SSR08SSR32E203B CMR05E820JPDM CMF55511K00FHBF

SIHH21N65EF-T1-GE3

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