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GermanySIHH21N65EF-T1-GE3
元器件型号详细信息
原厂型号
SIHH21N65EF-T1-GE3
摘要
MOSFET N-CH 650V 19.8A PPAK 8X8
详情
表面贴装型 N 通道 650 V 19.8A（Tc） 156W（Tc） PowerPAK® 8 x 8
原厂/品牌
Vishay Siliconix
原厂到货时间
67 周
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
Vishay Siliconix
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
19.8A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
180 毫欧 @ 11A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
102 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2396 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
156W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PowerPAK® 8 x 8
封装/外壳
8-PowerTDFN
基本产品编号
SIHH21
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
SIHH21N65EF-T1-GE3DKR
SIHH21N65EF-T1-GE3CT
SIHH21N65EF-T1-GE3TR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Vishay Siliconix SIHH21N65EF-T1-GE3
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规格书
1(SIHH21N65EF)
特色产品
1(650 V Fast Body Diode MOSFETs)
HTML 规格书
1(SIHH21N65EF)
价格
数量: 3000
单价: $27.1667
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000
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最小包装数量: 3000
数量: 500
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包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
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包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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