元器件型号详细信息

原厂型号
SIS178LDN-T1-GE3
摘要
N-CHANNEL 70 V (D-S) MOSFET POWE
详情
表面贴装型 N 通道 70 V 13.9A(Ta),45.3A(Tc) 3.6W(Ta),39W(Tc) PowerPAK® 1212-8
原厂/品牌
Vishay Siliconix
原厂到货时间
78 周
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000

技术参数

制造商
Vishay Siliconix
系列
TrenchFET® Gen IV
包装
卷带(TR)
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
70 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
13.9A(Ta),45.3A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
9.5 毫欧 @ 10A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
28.5 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1135 pF @ 35 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
3.6W(Ta),39W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PowerPAK® 1212-8
封装/外壳
PowerPAK® 1212-8

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

742-SIS178LDN-T1-GE3DKR
742-SIS178LDN-T1-GE3CT
742-SIS178LDN-T1-GE3TR

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Vishay Siliconix SIS178LDN-T1-GE3

相关文档

规格书
1(SIS178LDN)
PCN 设计/规格
1(Mult Dev 08/Dec/2022)
PCN 组装/来源
1(New Solder Plating Site 18/Apr/2023)
EDA 模型
1(SIS178LDN-T1-GE3 by Ultra Librarian)

价格

数量: 30000
单价: $2.48359
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 3000
数量: 15000
单价: $2.57322
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 3000
数量: 6000
单价: $2.67219
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 3000
数量: 3000
单价: $2.87012
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 3000
数量: 1000
单价: $3.16704
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $3.95874
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $5.0082
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $6.535
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $7.39
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 1000
单价: $3.16704
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $3.95874
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $5.0082
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $6.535
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $7.39
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

替代型号

-