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GermanyNTHL080N120SC1
元器件型号详细信息
原厂型号
NTHL080N120SC1
摘要
SICFET N-CH 1200V 44A TO247-3
详情
通孔 N 通道 1200 V 44A（Tc） 348W（Tc） TO-247-3
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
450
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
-
包装
管件
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）
1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
44A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
110 毫欧 @ 20A，20V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4.3V @ 5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
56 nC @ 20 V
Vgs（最大值）
+25V，-15V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1670 pF @ 800 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
348W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-247-3
封装/外壳
TO-247-3
基本产品编号
NTHL080
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
不适用
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/onsemi NTHL080N120SC1
相关文档
规格书
1(NTHL080N120SC1)
视频文件
1(M3S 1200V SiC MOSFETs | Datasheet Preview)
环保信息
()
特色产品
()
PCN 产品变更/停产
1(Mult Dev EOL 7/Jul/2021)
PCN 设计/规格
1(Dimension/Color Change 24/Feb/2021)
PCN 组装/来源
1(Mult Dev Material Chg 12/Sep/2019)
PCN 封装
1(Packing quantity increase 28/Dec/2020)
EDA 模型
1(NTHL080N120SC1 by Ultra Librarian)
价格
-
替代型号
型号 : NTHL080N120SC1A
制造商 : onsemi
库存 : 0
单价. : ¥110.02000
替代类型. : 类似
库存 : 0
单价. : ¥110.02000
替代类型. : 类似