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GermanySPD02N80C3BTMA1
元器件型号详细信息
原厂型号
SPD02N80C3BTMA1
摘要
MOSFET N-CH 800V 2A TO252-3
详情
表面贴装型 N 通道 800 V 2A（Tc） 42W（Tc） PG-TO252-3
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
CoolMOS™
包装
卷带（TR）
产品状态
allaboutcomponents.com 停止提供
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.7 欧姆 @ 1.2A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.9V @ 120µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
16 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
290 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
42W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-TO252-3
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
基本产品编号
SPD02N
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
SPD02N80C3INTR
SPD02N80C3BTMA1TR
SPD02N80C3INDKR
SPD02N80C3INTR-ND
SPD02N80C3INCT-ND
SPD02N80C3
SPD02N80C3INDKR-ND
SPD02N80C3BTMA1DKR
SPD02N80C3XT
SPD02N80C3BTMA1CT
SPD02N80C3INCT
SPD02N80C3-ND
SP000014822
SP000315409
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies SPD02N80C3BTMA1
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特色产品
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1(SPD02N80C3)
价格
数量: 12500
单价: $4.16488
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2500
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2500
数量: 5000
单价: $4.32758
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2500
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2500
数量: 2500
单价: $4.55536
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2500
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2500
数量: 1
单价: $10.73
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $10.73
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
替代型号
型号 : SPD02N80C3ATMA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 1
单价. : ¥11.53000
替代类型. : 直接
库存 : 1
单价. : ¥11.53000
替代类型. : 直接
型号 : STD4N80K5
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 2,490
单价. : ¥13.04000
替代类型. : 类似
库存 : 2,490
单价. : ¥13.04000
替代类型. : 类似
型号 : STD3N80K5
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 0
单价. : ¥12.64000
替代类型. : 类似
库存 : 0
单价. : ¥12.64000
替代类型. : 类似
型号 : STD4NK80ZT4
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 5,000
单价. : ¥15.03000
替代类型. : 类似
库存 : 5,000
单价. : ¥15.03000
替代类型. : 类似