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20250415
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元器件资讯
库存查询
DGD2103AS8-13
元器件型号详细信息
原厂型号
DGD2103AS8-13
摘要
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
详情
半桥 栅极驱动器 IC 反相,非反相 8-SO
原厂/品牌
Diodes Incorporated
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500
供应商库存
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技术参数
制造商
Diodes Incorporated
系列
-
包装
卷带(TR)
产品状态
停产
allaboutcomponents.com Programmable
Not Verified
驱动配置
半桥
通道类型
独立式
驱动器数
2
栅极类型
IGBT,N 沟道 MOSFET
电压 - 供电
10V ~ 20V
逻辑电压 - VIL,VIH
0.8V,2.5V
电流 - 峰值输出(灌入,拉出)
290mA,600mA
输入类型
反相,非反相
高压侧电压 - 最大值(自举)
600 V
上升/下降时间(典型值)
100ns,50ns
工作温度
-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装
8-SO
基本产品编号
DGD2103
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
3(168 小时)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
其它名称
DGD2103AS8-13DITR
DGD2103AS8-13DIDKR
DGD2103AS8-13DICT
所属分类/目录
/产品索引 /集成电路(IC)/电源管理(PMIC)/栅极驱动器/Diodes Incorporated DGD2103AS8-13
相关文档
规格书
1(DGD2103A)
环保信息
1(Diodes Environmental Compliance Cert)
特色产品
1(DGD21 Gate Drivers)
价格
-
替代型号
型号 : DGD2103MS8-13
制造商 : Diodes Incorporated
库存 : 11,007
单价. : ¥9.22000
替代类型. : 直接
型号 : IR2103STRPBF
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 5,599
单价. : ¥22.18000
替代类型. : 直接
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