元器件型号详细信息

原厂型号
IPD60R600P7SE8228AUMA1
摘要
MOSFET N-CH 600V 6A TO252-3
详情
表面贴装型 N 通道 600 V 6A(Tc) 30W(Tc) PG-TO252-3
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
39 周
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500

技术参数

制造商
Infineon Technologies
系列
CoolMOS™ P7
包装
卷带(TR)
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
6A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
600 毫欧 @ 1.7A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 80µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
9 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
363 pF @ 400 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
30W(Tc)
工作温度
-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-TO252-3
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
基本产品编号
IPD60R

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

SP002367810
448-IPD60R600P7SE8228AUMA1DKR
448-IPD60R600P7SE8228AUMA1CT
IPD60R600P7SE8228AUMA1-ND
448-IPD60R600P7SE8228AUMA1TR

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Infineon Technologies IPD60R600P7SE8228AUMA1

相关文档

环保信息
1(RoHS Certificate)

价格

数量: 25000
单价: $2.69187
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 2500
数量: 12500
单价: $2.72021
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 2500
数量: 5000
单价: $2.82646
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 2500
数量: 2500
单价: $2.97524
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 2500
数量: 1000
单价: $3.18778
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $4.03776
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $4.8882
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $6.272
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $7
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 1000
单价: $3.18778
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $4.03776
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $4.8882
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $6.272
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $7
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

替代型号

型号 : IPD60R600P7SAUMA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 15,732
单价. : ¥7.00000
替代类型. : 参数等效