SPW35N60C3FKSA1

元器件型号详细信息

原厂型号

SPW35N60C3FKSA1

摘要

MOSFET N-CH 650V 34.6A TO247-3

详情

通孔 N 通道 650 V 34.6A（Tc） 313W（Tc） PG-TO247-3-1

原厂/品牌

Infineon Technologies

原厂到货时间

39 周

EDA/CAD 模型

标准包装

30

供应商库存

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技术参数

制造商

Infineon Technologies

系列

CoolMOS™

包装

管件

产品状态

在售

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

650 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

34.6A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

100 毫欧 @ 21.9A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.9V @ 1.9mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

200 nC @ 10 V

Vgs（最大值）

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

4500 pF @ 25 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

313W（Tc）

工作温度

-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型

通孔

供应商器件封装

PG-TO247-3-1

封装/外壳

TO-247-3

基本产品编号

SPW35N60

其它名称

SPW35N60C3IN-ND

SPW35N60C3IN

INFINFSPW35N60C3FKSA1

SP000014970

SPW35N60C3

SPW35N60C3-ND

SPW35N60C3X

SPW35N60C3XK

2156-SPW35N60C3FKSA1

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies SPW35N60C3FKSA1

价格

数量: 1000

单价: $56.70137
包装: 管件
最小包装数量: 1

数量: 500

单价: $61.81724
包装: 管件
最小包装数量: 1

数量: 100

单价: $69.4913
包装: 管件
最小包装数量: 1

数量: 10

单价: $82.278
包装: 管件
最小包装数量: 1

数量: 1

单价: $89.51
包装: 管件
最小包装数量: 1

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制造商 : IXYS
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单价. : ¥73.06000
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PIC16F877A-I/P MRS25000C1182FCT00 SIT3372AC-2E2-30NB90.000000 10104997-U0C-60B SR731ETTPR75G

SPW35N60C3FKSA1

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